SGW25N120E8161

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

SGW25N120E8161 datasheet

• Маркировка
  SGW25N120E8161
• Производитель
  Infineon Technologies
• Описание
  Infineon Technologies SGW25N120E8161 Product Category: IGBT Transistors RoHS: yes Configuration: Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1200 V Maximum Gate Emitter Voltage: +/- 20 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Package / Case: TO-247-3 Continuous Collector Current Ic Max: 46 A Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: Through Hole
• Количество страниц
  10 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SGW25N120E8161.pdf
Файл формата Pdf 224,19 KB